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　　一、真空的基本概念

　　真空技術(shù)中，“真空”泛指在給定的空間內(nèi)，氣體壓強(qiáng)低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)，也就是說，同正常的大氣壓相比，是較為稀薄的一種氣體狀態(tài)。

　　真空度是對氣體稀薄程度的一種客觀量度。根據(jù)真空技術(shù)的理論，真空度的高低通常都用氣體的壓強(qiáng)來表示。在國際單位制中，壓強(qiáng)是以帕(Pa)為單位1Pa=1N/m2。另外常用的單位還有托(Torr)、毫米汞柱(mmHg)、毫巴 (mbar)、工程大氣壓(公斤/厘米2)等。

　　真空區(qū)域的劃分沒有統(tǒng)一規(guī)定，我國通常是這樣劃分的：

　　粗真空：(760～10)托

　　低真空：(10～10-3)托

　　高真空：(10-3～10-8)托

　　超高真空：(10-8～10-12)托

　　極高真空：10-12托

　　托和帕的關(guān)系：1托=1 毫米汞柱(mmHg)=133.322Pa，1帕=7.5×10-3托。

　　真空區(qū)域的特點(diǎn)不同其應(yīng)用也不同，例如吸塵器工作于粗真空區(qū)域，暖瓶、燈泡等工作于低真空區(qū)域，而真空開關(guān)管和其它一些電真空器件則是工作在高真空區(qū)域。

　　二、真空間隙的絕緣特性

　　真空中放置一對電極，加上高壓時，在一定的電壓下也會產(chǎn)生電極之間的電擊穿。它的擊穿與空氣中的電擊穿有很大不同?？諝庵械膿舸┦怯捎跉怏w中的少量自由電子在電場作用下高速度運(yùn)動，與氣體分子碰撞產(chǎn)生較多的電子和離子，新生的電子和離子又同中性原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子和離子。這種雪崩式的電離過程，在電極間形成了放電通道，產(chǎn)生了電弧。而真空中，由于壓強(qiáng)較低，氣體分子極少，在這樣的環(huán)境中，即使電極間隙中存在著電子，它們從一個電極飛向另一個電極時，也很少有機(jī)會與氣體分子碰撞。因而不可能有電子和氣體分子碰撞造成雪崩式的電擊穿。正是因為氣體分子十分稀少，真空間隙電擊穿需要在非常高的電壓下出現(xiàn)場致發(fā)射等其它現(xiàn)象時才有可能形成。從理論上推測，電場強(qiáng)度需達(dá)到108V/cm以上時才會造成電擊穿，實際上真空間隙的絕緣強(qiáng)度由于一系列不利因素例如電極表面粗糙度、潔凈度等的影響，將低于理論計算值幾個數(shù)量級。

　　真空滅弧室中的真空度很高，一般為10-3～10-6 帕，此時真空間隙的絕緣強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于1 個大氣壓的空氣和SF6的絕緣強(qiáng)度，比變壓器油的絕緣強(qiáng)度還要高。正因為真空的絕緣強(qiáng)度很高，真空滅弧室中的所有電氣間隙都可以做得很小。例如12kV 真空滅弧室的觸頭開距只有8～12mm，40.5kV 真空滅弧室的觸頭開距也只要18～25mm，真空滅弧室中的其它電氣間隙也在此尺度范圍。

　　三、影響真空絕緣水平的主要因素

　　真空絕緣是一個十分復(fù)雜的物理過程，其機(jī)理到目前為止仍沒有明確的結(jié)論。從實際應(yīng)用情況來看，主要有以下幾個方面：

　　1、電極的幾何形狀

　　電極的幾何形狀對電場的分布有很大的影響，往往由于幾何形狀不夠恰當(dāng)，引起電場在局部過于集中而導(dǎo)致?lián)舸?，這一點(diǎn)在高電壓的真空產(chǎn)品中尤其突出。

　　電極邊緣的曲率半徑大小是重要因素。一般來說，曲率半徑大的電極承受擊穿電壓的能力比曲率半徑小的大。

　　此外，擊穿電壓還和電極面積的大小成反比，即隨著電極面積的增大而有所降低。面積增大導(dǎo)致耐壓降低的原因主要是放電概率增加。

　　2、間隙距離

　　真空的擊穿電壓與間隙距離有著比較明確的關(guān)系。試驗表明，當(dāng)間隙距離較小時(≤5mm)，擊穿電壓隨著間隙距離的增加而線性增長，但隨著間隙距離的進(jìn)一步增加，擊穿電壓的增長減緩，即真空間隙發(fā)生擊穿的電場強(qiáng)度隨著間隙距離的增加而減小。當(dāng)間隙達(dá)到一定的長度后(≥20mm)，單靠增加間隙距離提高耐壓水平已經(jīng)十分困難，這時采用多斷口反而比單斷口有利。

　　一般認(rèn)為短間隙下的電擊穿主要是場致發(fā)射引起的，而長間隙下的的電擊穿則主要是微粒效應(yīng)所致。

　　3、電極材料

　　真空開關(guān)工作在10-2Pa以上的高真空，由于此時氣體分子十分稀少，氣體分子的碰撞游離對擊穿已經(jīng)不起作用，因此擊穿電壓表現(xiàn)出和電極材料有較強(qiáng)的相關(guān)性。

　　真空間隙的擊穿電壓隨著電極材料的不同而不同，研究者發(fā)現(xiàn)擊穿電壓和材料的硬度與機(jī)械強(qiáng)度有關(guān)。一般來說，硬度和機(jī)械強(qiáng)度較高的材料，往往有較高的絕緣強(qiáng)度。比如，鋼電極在淬火后硬度提高，其擊穿電壓較淬火前可提高80%。

　　此外，擊穿電壓還和陰極材料的物理常數(shù)如熔點(diǎn)、比熱和密度等正相關(guān)，即熔點(diǎn)較高的材料其擊穿電壓也較高。對比熱和密度而言亦然。這一問題的實質(zhì)是在相同熱能的作用下，材料發(fā)生熔化的概率越大，則擊穿電壓越低。

　　4、真空度

　　圖一顯示了間隙擊穿電壓和氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系。由圖可以看到真空度高于10-2Pa(10-4托)時，擊穿電壓基本上不再隨著氣體壓力的下降而增大，因為氣體分子碰撞游離現(xiàn)象已不再起作用。當(dāng)氣體壓力從l0-2Pa逐步升高時(真空度下降)，擊穿強(qiáng)度逐漸下降，而在接近1托(102Pa左右)最低，以后又隨氣壓的增高而增高。從曲線上可以看出真空度高于10-2Pa時其耐壓強(qiáng)度基本上保持不變。這就表明，真空滅弧室的真空度在10-2Pa以上時完全能夠滿足正常的使用需求。

圖一 真空度和擊穿電壓的關(guān)系

　　5、電極的表面狀況

　　電極的表面狀況對真空間隙的擊穿電壓影響較大。電極表面的氧化物、雜質(zhì)和金屬微粒都會使真空間隙的擊穿電壓明顯下降。

　　此外，無論真空滅弧室的電極表面在制造中加工得如何，大電流開斷均會使電極表面變得凸凹不平，這也將使得擊穿電壓降低。

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